HERMETIC SEALING OF A SUBSTRATE OF HIGH THERMAL CONDUCTIVITY USING AN INTERPOSER OF LOW THERMAL CONDUCTIVITY

• Main Authors: ECONOMIKOS LAERTIS, HERRON LESTER WYNN, INTERRANTE MARIO J
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.07.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 일반적으로, 저 열전도성 삽입물(interposer) 및 그의 구조물을 사용하여 질화 알루미늄 기판과 같은 고 열전도성 기판을 기밀 밀봉(hermetically sealing)시키는 신규한 방법에 관한 것이다. 더욱 특히는, 본 발명은 신규한 열 삽입물에 의해 질화 알루미늄 기판에 고정시키는 기밀 캡(cap)에 관한 것이다. 신규한 열 삽입물은 기본적으로 저 열전도성인 금속성 물질의 코어층이 샌드위치된 비교적 고 열전도성의 금속성 물질의 층으로 이루어져 있다. The present invention relates generally to a new process for hermetically sealing of a high thermally conductive substrate, such as, an aluminum nitride substrate, using a low thermally conductive interposer and structure thereof. More particularly, the invention encompasses a hermetic cap which is secured to an aluminum nitride substrate using the novel thermal interposer. The novel thermal interposer basically comprises of layers of relatively high thermal conductive metallic materials sandwiching a core layer of low thermal conductive metallic material.