Capacitor maunfacturing method of semi-conductor device

• Main Authors: KANG, SEONG-HUN, LEE, JUNG-KYU, KOH, YOUNG-LARK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.06.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device is provided to prevent the reduction of static capacitance by forming a tungsten silicide film on a peripheral portion of a lower electrode. CONSTITUTION: A lower electrode(26) is formed on a semiconductor substrate(10). A hemispherical grain is formed on a surface of the lower electrode(26). A tungsten film is formed on a whole face of the semiconductor substrate(10). The tungsten film is changed to a tungsten silicide film(29) by performing an annealing process for the tungsten film. The tungsten film is etched in order that the tungsten film remains on a peripheral portion of the lower electrode(26). A dielectric layer is formed by laminating dielectric material on the lower electrode(26) formed with the hemispherical grain. An annealing process for the dielectric layer is performed. An upper electrode is formed on the dielectric layer. 반도체장치의 커패시터 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체장치의 커패시터 제조방법은, 반도체기판 상에 표면에 HSG이 형성된 하부전극을 형성하는 단계, 상기 HSG 상에 유전층을 형성하는 단계, 상기 유전층을 열처리하는 단계 및 상기 유전층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 반도체장치의 커패시터 제조방법에 있어서, 상기 HSG를 형성한 후에 상기 반도체기판 전면에 텅스텐막을 형성하는 단계, 상기 텅스텐막을 열처리하여 상기 하부전극 주변부의 상기 텅스텐막을 텅스텐 실리사이드막으로 변성시키는 단계 및 상기 텅스텐막을 습식식각하여 상기 하부전극 주변부에만 텅스텐 실리사이드막을 잔류시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 하부전극의 실리콘 성분이 후속되는 탄탈륨 산화물 유전층의 열처리 과정에서 산화되어 전체 유전층을 두껍게 하고 정전용량을 감소시키는 현상을 방지할 수 있다는 이점이 있다.