LITHOGRAPHIC PATTERNING METHOD AND MASK SET THEREFOR WITH LIGHT FIELD TRIM MASK

본 발명에 의하면 이전의 노광 결함들을 제거하기 위해 블럭 크기가 증가된 마스크 치수를 갖는 위상 변이 트림 마스크를 사용하는 리소그래피적 패터닝 방법 및 마스크 세트가 제공된다. A lithographic patterning method and mask set using a phase shift trim mask having mask dimensions increased in block size so as to remove previous exposure defects....

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Main Authors ADAIR, WILLIAM J, FERGUSON, RICHARD A, LIEBMANN, LARS W, O'GRADY, DAVID S
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.06.2000
Edition7
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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Summary:본 발명에 의하면 이전의 노광 결함들을 제거하기 위해 블럭 크기가 증가된 마스크 치수를 갖는 위상 변이 트림 마스크를 사용하는 리소그래피적 패터닝 방법 및 마스크 세트가 제공된다. A lithographic patterning method and mask set using a phase shift trim mask having mask dimensions increased in block size so as to remove previous exposure defects.
Bibliography:Application Number: KR19970057471