RESIST PATTERN FORMING METHOD AND RESIST MATERIAL
레지스트 패턴의 드라이에칭 내성을 개선한다. 레지스트 재료의 베이스 수지로서 "-CHCHR-"로 표현되는 유니트를 가지는 동시에, 산에 의해서 분해되는 치환기를 가지는 폴리머가 사용된다. 레지스트 재료에는, 또, 산 발생제가 혼합된다. 레지스트 재료에 선택적으로 노광과 현상을 실시하는 것에 따라 얻어진 레지스트 패턴14에 질소 분위기16하에서 300nm 이하의 파장의 조사광15가 조사된다. 그 결과, 상기 유니트의 α 자리의 활성 수소가 해리 하므로, 폴리머 래디컬이 형성되는 동시에 그들이 서로 결합하는 가교 반응...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
01.06.2000
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Edition | 7 |
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Summary: | 레지스트 패턴의 드라이에칭 내성을 개선한다. 레지스트 재료의 베이스 수지로서 "-CHCHR-"로 표현되는 유니트를 가지는 동시에, 산에 의해서 분해되는 치환기를 가지는 폴리머가 사용된다. 레지스트 재료에는, 또, 산 발생제가 혼합된다. 레지스트 재료에 선택적으로 노광과 현상을 실시하는 것에 따라 얻어진 레지스트 패턴14에 질소 분위기16하에서 300nm 이하의 파장의 조사광15가 조사된다. 그 결과, 상기 유니트의 α 자리의 활성 수소가 해리 하므로, 폴리머 래디컬이 형성되는 동시에 그들이 서로 결합하는 가교 반응이 진행한다. 즉, 폴리머의 가교구조가 형성된다. 그 결과, 드라이 에칭 내성이 높은 레지스트 패턴14가 완성된다.
A polymer having a unit expressed as "-CH2CHR-" as well as a substituent capable of being decomposed by acid is employed as a base resin for a resist material. The resist material is further mixed with an acid generator. A resist pattern obtained by selectively exposing and developing the resist material is irradiated with light having a wavelength of not more than 300 nm under a nitrogen atmosphere. Active hydrogen at the alpha -position of the unit dissociates as a result to form polymer radicals, which are linked with each other in progress of a crosslinking reaction. Namely, a crosslinked structure of the polymer is formed. Consequently, a resist pattern having high dry etching resistance is completed. |
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Bibliography: | Application Number: KR19970041048 |