RESIST PATTERN FORMING METHOD AND RESIST MATERIAL

• Main Author: KISHIMURA, SHINJI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.06.2000
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

레지스트 패턴의 드라이에칭 내성을 개선한다. 레지스트 재료의 베이스 수지로서 "-CHCHR-"로 표현되는 유니트를 가지는 동시에, 산에 의해서 분해되는 치환기를 가지는 폴리머가 사용된다. 레지스트 재료에는, 또, 산 발생제가 혼합된다. 레지스트 재료에 선택적으로 노광과 현상을 실시하는 것에 따라 얻어진 레지스트 패턴14에 질소 분위기16하에서 300nm 이하의 파장의 조사광15가 조사된다. 그 결과, 상기 유니트의 α 자리의 활성 수소가 해리 하므로, 폴리머 래디컬이 형성되는 동시에 그들이 서로 결합하는 가교 반응이 진행한다. 즉, 폴리머의 가교구조가 형성된다. 그 결과, 드라이 에칭 내성이 높은 레지스트 패턴14가 완성된다. A polymer having a unit expressed as "-CH2CHR-" as well as a substituent capable of being decomposed by acid is employed as a base resin for a resist material. The resist material is further mixed with an acid generator. A resist pattern obtained by selectively exposing and developing the resist material is irradiated with light having a wavelength of not more than 300 nm under a nitrogen atmosphere. Active hydrogen at the alpha -position of the unit dissociates as a result to form polymer radicals, which are linked with each other in progress of a crosslinking reaction. Namely, a crosslinked structure of the polymer is formed. Consequently, a resist pattern having high dry etching resistance is completed.