METHOD OF FABRICATING IMAGE DISPLAY DEVICE

• Main Author: YANG, MYUNG-SU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.05.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A method for manufacturing an image display device is provided to remove an ion implantation process upon formation of source/drain by forming a semiconductor layer into which impurities are doped after formation of a contact hole. CONSTITUTION: A method for manufacturing an image display device forms an active layer(2) on an insulating substrate(1). A gate insulating film(3) and a gate electrode(4) are formed on the active layer(2). After forming an interlayer dielectric(3') on the gate electrode(4), the interlayer dielectric(3') and the gate insulating film(3) are selectively etched to expose a portion of the active layer(2). Polysilicon(5) into which impurities are doped and a conductive metal(6) are sequentially deposited in the active layer(2). The polysilicon(5) into which impurities are doped and the conductive metal(6) are simultaneously etched to form a source/drain electrode and a data signal line. 본 발명은 화상표시장치의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 소스 드레인형성을 위해 게이트 전극 패턴형성후 활성층 일부에 이온주입 공정으로 불순물을 주입하여 제조하므로 이온주입 공정에 의해 소스/드레인의 시트 저항과 접촉저항이 증가하여 소자의 특성을 저하시키고 제조시 공정이 복잡하여 데이터신호선이 단층구조의 금속층으로 인해 단선이 날 우려가 많은 문제점이 있었다. 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 감안하여 소스/드레인형성시 콘택홀(contact hole) 패턴 형성후 불순물이 도핑된 실리콘을 콘택홀을 통해 활성층에 증착하여 제조하므로 이온주입 공정을 제거함으로써, 공정을 단순화하여 소스/드레인의 접촉저항과 시트 저항을 줄일수 있어 소자의 특성을 개선하는 효과와 아울러 불순물이 도핑된 다결정실리콘과 전도성금속의 2층구조로 데이터신호선을 구성하여 단선의 우려를 크게 줄임으로써, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.