SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: YAMANE, TOMOKO, ARAI, NORIHISA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.02.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

저항 소자로서 고속 동작·고신뢰성 확보를 위해 불가결한 기생 용량이 작은 박막 폴리실리콘막의 이용을 가능하게 하고, 공정을 늘리는 일 없이 프로세스 마진을 확대하며, 저항 소자와 하부 기판간의 누설에 의한 불량을 해소하여 높은 수율을 보증할 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 반도체 기판(101)의 표면상에 제1 절연막(102)을 개재해서 설치된 도전성막(107)과, 도전성막 상에 설치된 제2 절연막(115)에 개구된 콘택트 홀을 통해 도전성막에 접속된 금속 배선층(120)을 갖는 반도체 장치에 있어서, 콘택트 홀 바로 아래의 영역에 제3 절연막(106)을 끼워서 제2 절연막에 대해 에칭 선택비를 갖는 에칭 스토퍼막(104)을 갖는다. There are provided a semiconductor device and a method for manufacturing the same in which a thin film polysilicon film having a small parasitic capacitance which is required for attaining the high-speed operation and high reliability can be used as a resistance element, the process margin can be increased without increasing the number of manufacturing steps, and defects due to leakage between the resistance element and the underlying substrate can be eliminated so as to ensure the high manufacturing yield. In a semiconductor device having a conductive film formed over the surface of a semiconductor substrate with a first insulating film disposed therebetween and a metal wiring layer connected to the conductive film via a contact hole formed in a second insulating film which is formed on the conductive film, an etching stopper film having a selective etching ratio with respect to the second insulating film is formed in an area directly below the contact hole with a third insulating film disposed therebetween.