SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD AND APPARATUS THEREOF
본 발명은 연속공급식 브릿지만 법을 이용하여 망간-아연 페라이트 단결정을 성장시키는 경우 본체로의 하방으로 형성되는 보조로가 단결정 성장로의 본체로에 대해 순차적으로 결합 및 분리되도록 형성함으로써 성장로의 가동을 극대화시키고 수율이 향상된 단결정을 제조할 수 있도록 한것으로, 본체로의 하방으로 형성되는 보조로에 장착된 도가니에 원료를 장입하여 용융시켜 잉곳을 성장시키는 단결정 성장방법에 있어서, 본체로의 하방으로 백금도가니를 장착한 보조로를 분리가능하게 장착시키는 결합단계; 백금도가니에 장입되는 원료를 용융시켜 성장되도록 도가니의...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
01.02.2000
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Edition | 7 |
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Summary: | 본 발명은 연속공급식 브릿지만 법을 이용하여 망간-아연 페라이트 단결정을 성장시키는 경우 본체로의 하방으로 형성되는 보조로가 단결정 성장로의 본체로에 대해 순차적으로 결합 및 분리되도록 형성함으로써 성장로의 가동을 극대화시키고 수율이 향상된 단결정을 제조할 수 있도록 한것으로, 본체로의 하방으로 형성되는 보조로에 장착된 도가니에 원료를 장입하여 용융시켜 잉곳을 성장시키는 단결정 성장방법에 있어서, 본체로의 하방으로 백금도가니를 장착한 보조로를 분리가능하게 장착시키는 결합단계; 백금도가니에 장입되는 원료를 용융시켜 성장되도록 도가니의 온도를 조절하는 성장단계; 및 잉곳의 성장완료 후 본체로로부터 분리되는 보조로를 냉각장치에 장착시켜 잉곳을 서냉시키는 냉각단계로 구성됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법인 것이다. |
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Bibliography: | Application Number: KR19930005387 |