SINGLE CRYSTAL GROWTH METHOD AND APPARATUS THEREOF

• Main Authors: OH, JU-YEOL, JO, GEUNG-YEON, PARK, DEOK-YEONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.02.2000
• Edition: 7
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

본 발명은 연속공급식 브릿지만 법을 이용하여 망간-아연 페라이트 단결정을 성장시키는 경우 본체로의 하방으로 형성되는 보조로가 단결정 성장로의 본체로에 대해 순차적으로 결합 및 분리되도록 형성함으로써 성장로의 가동을 극대화시키고 수율이 향상된 단결정을 제조할 수 있도록 한것으로, 본체로의 하방으로 형성되는 보조로에 장착된 도가니에 원료를 장입하여 용융시켜 잉곳을 성장시키는 단결정 성장방법에 있어서, 본체로의 하방으로 백금도가니를 장착한 보조로를 분리가능하게 장착시키는 결합단계; 백금도가니에 장입되는 원료를 용융시켜 성장되도록 도가니의 온도를 조절하는 성장단계; 및 잉곳의 성장완료 후 본체로로부터 분리되는 보조로를 냉각장치에 장착시켜 잉곳을 서냉시키는 냉각단계로 구성됨을 특징으로 하는 망간-아연 페라이트 단결정 성장방법인 것이다.