Forming method of semiconductor capacitor

• Main Authors: KIM, YOUNG-DAE, KIM, EUI-SONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.11.1999
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

반도체 커패시터의 중간 유전체층으로 탄탈륨 옥사이드(TaO)를 이용하는 경우의 반도체 커패시터의 제조 방법에 관하여 개시한다. 이는 (1) 반도체 커패시터의 하부 전극 상에 RTN 공정을 진행하여 실리콘 나이트라이드(SiN)층을 형성하는 단계, (2) 실리콘 나이트라이드(SiN)층에 대하여 소정 온도의 조건에서 산화 공정을 진행하여 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON)층으로 산화시키는 단계, (3) 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON)층 상에 탄탈륨 옥사이드(TaO)를 650℃ 이상의 온도 조건에서 증착함으로써 반도체 커패시터의 중간 유전체층을 형성하는 단계 및 (4) 중간 유전체층 상에 반도체 커패시터의 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 한다. 이로써, RTN 공정으로 형성된 실리콘 나이트라이드(SiN)층을 고온 조건에서 사전 산화함으로써 층간 계면에서의 전기적 특성이 개선된 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON)층을 형성할 수 있으며, 탄탈륨 옥사이드(TaO) 증착 후, 후속 산화 공정이 필요하지 않아 공정을 용이하게 진행할 수 있다.