PROCESS FOR FORMING A MAGNETORESISTIVE SENSOR FOR A READ/WRITE HEAD
자기 기억 디스크에 기억된 자기 패턴을 판독/기입하기 위해 사용되는 센서는 자기 저항 소자를 포위하는 내부와 외부 전극을 포함하는 코르비노 구조를 사용한다. 센서는, 제 1 층과 제 5 층이 높은 저항률의 반도체 물질이고, 제 2 층과 제 4 층이 자기 저항 물질이고 제 3 층이 금속 또는 복합 구조인 중첩된 층의 스택의 전단면에서 형성된다. 도펀트는 스택의 전단면으로 확산하여 제 1 층과 제 5 층의 단부를 저저항률로 변환시켜 코르비노 디스크의 외부 전극으로서 제공되는 도전 루프를 형성하고, 제 3 전극은 내부 전극으로서 제공된다...
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Main Authors | , |
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
01.11.1999
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Edition | 6 |
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Summary: | 자기 기억 디스크에 기억된 자기 패턴을 판독/기입하기 위해 사용되는 센서는 자기 저항 소자를 포위하는 내부와 외부 전극을 포함하는 코르비노 구조를 사용한다. 센서는, 제 1 층과 제 5 층이 높은 저항률의 반도체 물질이고, 제 2 층과 제 4 층이 자기 저항 물질이고 제 3 층이 금속 또는 복합 구조인 중첩된 층의 스택의 전단면에서 형성된다. 도펀트는 스택의 전단면으로 확산하여 제 1 층과 제 5 층의 단부를 저저항률로 변환시켜 코르비노 디스크의 외부 전극으로서 제공되는 도전 루프를 형성하고, 제 3 전극은 내부 전극으로서 제공된다.
A sensor for use in read/writing the magnetic pattern stored in a magnetic storage disk uses a Corbino structure comprising inner and outer electrodes enclosing a magnetoresistive element. The sensor is formed at the front surface of a stack of superposed layers of which the first and fifth are of a high resistivity semiconductive material, the second and fourth are of a magnetoresistive material and the third of a metal or composite structure. The second and fourth layers form a loop around the third layer, the first and fifth form a loop around the second and fourth layers. A dopant is diffused into the front surface of the stack to convert edge portions of the first and fifth layers to low resistivity to form a conductive loop that serves as the outer electrode of the Corbino disk, the third electrode serving as the inner electrode. |
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Bibliography: | Application Number: KR19960064336 |