CAPACITOR FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: KIM, YONG-DAE, NAM, GAB-JIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.07.1999
• Edition: 6
• Subjects: ELECTRICITY

등가산화막 두께가 낮으면서도 누설 전류를 감소시킬 수 있는 반도체 장치의 커패시터 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판에 형성된 하부 전극 상에 제1실리콘질화막을 형성하는 단계와, 상기 제1실리콘질화막을 산화시켜 제1실리콘산화막을 형성하는 단계와, 상기 제1실리콘산화막 상에 실리콘이 풍부한(si rich) 제2실리콘질화막을 형성하는 단계와, 상기 실리콘이 풍부한 제2실리콘질화막을 플라즈마 또는 포토에너지를 이용하여 산화시켜 제2실리콘산화막을 형성하여, 상기 제1실리콘 질화막과 제1실리콘산화막 및 제2실리콘산화막으로 구성된 유전체막을 형성하는 단계와, 상기 유전체막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 유전체막중 상부에 형성되는 실리콘산화막의 두께를 증가시키면서 하부에 형성된 실리콘질화막의 두께를 줄일 수 있으므로 누설 전류를 감소시키고 등가산화막 두께를 감소시킬 수 있다.