METHOD FOR FORMING A CONTACT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

본 발명은 반도체장치의 콘택형성방법에 관한 것으로, 기판 전면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막을 선택적으로 식각하되, 일정두께만큼 식각하고 일정두께만큼은 남기는 단계, 상기 잔존하는 산화막 부위에만 선택적으로 실리콘을 이온주입하는 단계, 상기 주입된 실리콘 이온을 활성화시키는 단계, 및 상기 잔존하는 산화막을 식각하여 콘택을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법을 제공함으로써 콘택 형성시 문제가 되는 과도식각 및 식각부족 현상을 방지하여 기판 손상에 의해 발생되는 콘택 페일 및...

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Main Authors SON, KI-KUN, KU, YOUNG-MO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.06.1999
Edition6
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명은 반도체장치의 콘택형성방법에 관한 것으로, 기판 전면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화막을 선택적으로 식각하되, 일정두께만큼 식각하고 일정두께만큼은 남기는 단계, 상기 잔존하는 산화막 부위에만 선택적으로 실리콘을 이온주입하는 단계, 상기 주입된 실리콘 이온을 활성화시키는 단계, 및 상기 잔존하는 산화막을 식각하여 콘택을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 콘택 형성방법을 제공함으로써 콘택 형성시 문제가 되는 과도식각 및 식각부족 현상을 방지하여 기판 손상에 의해 발생되는 콘택 페일 및 접합파괴로 인한 누설전류에 기인하는 문제점들을 해결할 수 있도록 한다.
Bibliography:Application Number: KR19950050949