WET ETCHING METHOD AND COMPOSITION
본 발명은 치환된 탄화수소 용매와, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산을 탈양성자화시키기에 충분할 정도로 강한 비이온성 염기를 0.1 내지 49:49 내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기를 1.0% 미만으로 함유하며, 물이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산을 에칭시키기 위한 습식 에칭 조성물 및 습식 에칭 방법에 관한 것이다. A wet-etch composition for polyamic acids and partially cured polyamic acids compri...
Saved in:
Main Authors | , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
15.06.1999
|
Edition | 6 |
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Summary: | 본 발명은 치환된 탄화수소 용매와, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산을 탈양성자화시키기에 충분할 정도로 강한 비이온성 염기를 0.1 내지 49:49 내지 0.1의 중량비로 함유하고, 이온성 염기를 1.0% 미만으로 함유하며, 물이 대부분을 구성하는 수용액을 포함하는, 폴리암산 또는 부분적으로 경화된 폴리암산을 에칭시키기 위한 습식 에칭 조성물 및 습식 에칭 방법에 관한 것이다.
A wet-etch composition for polyamic acids and partially cured polyamic acids comprising an aqueous solution having a major portion of water, a substituted hydrocarbon solvent and a non-ionic base that is strong enough to deprotonate the polyamic acid or a partially cured polyamic acid in a weight ratio of 0.1-49:49-0.1, with the proviso that the composition contains less than 1.0 percent ionic base. The present invention further provides a process for wet-etching polyamic acids or partially cured polyamic acids. |
---|---|
Bibliography: | Application Number: KR19910003727 |