MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: FUJII, EIJI, NAGANO, YOSHIHISA
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.04.1999
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, 유전체막의 침식을 방지할 수 있고, 용량소자의 단락이나 누출전류의 증가의 발생을 억제할 수 있는 반도체장치의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서 회로소자나 배선이 형성된 기판상에 하전극용 백금막(1), 고유전율유전체막 또는 강유전체막으로 이루어진 유전체막(2) 및 상전극용 백금막(3)을 형성하고, 상전극용 백금막(3) 및 유전체막(2)을 염소의 에칭가스를 사용해서 선택적으로 드라이에칭하는 공정과 드라이에칭 후, 플루오르를 함유한 가스를 방전시킴으로써 발생하는 플라즈마를 조사하는 것을 특징으로 한 것이며, 이 반도체장치의 제조방법에 의해 잔류염소가 거의 없어지기 때문에, 잔류염소에 의한 유전체막의 침식이 방지된다. A platinum bottom electrode film, a dielectric film composed of a high permittivity dielectric material or a ferroelectric material, and a platinum top electrode film are formed on a substrate on which circuit elements and wiring are formed, and the platinum top electrode film and the dielectric film are selectively dry-etched by using etching gas containing chlorine, then the substrate is heated after the dry-etching. By this method of manufacturing a semiconductor device including a capacitor, there is almost no residual chlorine, and hence erosion of the dielectric film by residual chlorine is prevented.