SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

• Main Authors: FURUKAWA, CHISATO, MATSUYAMA, TAKAYUKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.04.1999
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, 凹凸이 있는 반도체기판의 주면에 전극을 형성하는 경우에 있어서 복잡한 공정을 부가하지 않고도 용이한 방법으로 전극과 다른 도전영역을 분리형성하거나, 접속형성하는 것이 가능한 반도체장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. 반도체 레이저등에 이용하는 凹凸이 있는 반도체기판 주면에는 전류를 주입하기 위한 전극(12)과 인출전극(20)이 형성되어 있다. 인출전극은 전극부(13)와 본딩패드(14) 및 양 부분을 배선하는 배선부로 이루어진다. 전극부와 본딩패드부를 배선에 의해 분리·접속하는 경우에 있어서 배선과 전극, 또는 배선과 본딩패드를 연속시키고 싶은 부분에서는 그 접속부분에 순메사 경사면을 형성하고, 분리시키고 싶은 부분에는 그 분단 부분에 역메사 경사면을 형성한다. 또한, 이 반도체기판 주면에 형성한 凸부에 소정의 결정방향의 변을 형성하고, 웨트에칭에 의해 이 결정방향의 변에 경사면을 형성한다. 이와 같은 반도체기판에 전자빔장치등의 지향성이 높은 진공증착장치를 이용해서 이를 상방 또는 경사 상방등의 1방향으로부터의 금속입자의 조사에 의해 전극과 배선등의 접속 또는 분리를 확실하게 수행한다. 이상과 같이 전극, 배선은 반도체기판 표면을 미리 분리하고 싶은 주위를 凹凸에 의해 광학적으로 그림자로 되도록 설계하면, 자기정합적으로 분리 ·접속이 수행된다. A semiconductor device includes a rectangular semiconductor chip (201, 301) having a main surface, a stripe-form semiconductor element forming portion (271) formed in parallel to one of sides of the semiconductor chip (201, 301) to cross the main surface, a first groove portion (205a) formed along one of sides of the semiconductor element forming portion (271) in a longitudinal direction, a second groove portion (205b) formed along the other side of the semiconductor element forming portion (271) in the longitudinal direction, the second groove portion (205b) including a hollow space which is enlarged in substantially a central portion, a surface electrode (213) formed on at least part of an upper portion of the semiconductor element forming portion (271), an external lead connecting terminal electrode (214a, 214b, 214c, 214d, 214e, 214f, 214g) formed in the hollow space, a wiring (281) formed on part of a bottom surface and a side surface, which is adjacent to stripe-form portion (271), of the second groove portion (205b), for electrically connecting the surface electrode (213) with the terminal electrode (214a, 214b, 214c, 214d, 214e, 214f, 214g), a first dummy electrode (224) formed at least on the main surface of the semiconductor chip (201, 301) to face the semiconductor element forming portion (271) with the first groove portion (205a) disposed therebetween, and a second dummy electrode (223) formed on the main surface of the semiconductor chip (201, 301) to face the semiconductor element forming portion (271) with the second groove portion (205b) disposed therebetween.