METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE CAPACITOR

TaO의 고유전막을 갖는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, TaO막 증착 후 TaO막내의 산소 결핍(Oxygen Vacancy)으로 인한 누설전류 차단을 위해 UV-O어닐링과 고온 Dry-O어닐링을 실시한다. 고유전체인 TaO(오산화이탄탈륨막)의 사용으로 기존의 이산화실리콘과 실리콘나이트라이드의 복합막인 ONO(SiO/SiN/SiO), NO(SiN/SiO)보다 커패시터 용량은 증대되었으나 누설전류 측면에서는 크게 뒤떨어지는 결과가 발생하였다. 이것은 TaO내의 산소 결핍(Oxygen Vacancy)이 누설전류를 크게 하는 한 요인이...

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Main Authors KIM, EUI-SONG, PARK, INN-SUNG
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 20.03.1999
Edition6
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:TaO의 고유전막을 갖는 반도체 장치의 커패시터에 있어서, TaO막 증착 후 TaO막내의 산소 결핍(Oxygen Vacancy)으로 인한 누설전류 차단을 위해 UV-O어닐링과 고온 Dry-O어닐링을 실시한다. 고유전체인 TaO(오산화이탄탈륨막)의 사용으로 기존의 이산화실리콘과 실리콘나이트라이드의 복합막인 ONO(SiO/SiN/SiO), NO(SiN/SiO)보다 커패시터 용량은 증대되었으나 누설전류 측면에서는 크게 뒤떨어지는 결과가 발생하였다. 이것은 TaO내의 산소 결핍(Oxygen Vacancy)이 누설전류를 크게 하는 한 요인이 됨으로 TaO막 증착과 UV-O어닐링을 각각 2회 이상 실시한 후 고온 DRY-O어닐링을 실시함으로써 산소를 보충한다. 따라서 누설전류가 감소되어 신뢰성 있는 커패시터를 제작 할 수 있다. A microelectronic capacitor is formed by forming a first tantalum pentoxide film on a conductive electrode and annealing the first tantalum pentoxide film in the presence of ultraviolet radiation and ozone. The forming step and annealing step are then repeated at least once to form at least a second tantalum pentoxide film which has been annealed in the presence of ultraviolet radiation, on the first tantalum pentoxide film. A second conductive electrode may then be formed on the tantalum pentoxide layer. The resultant tantalum pentoxide layer can have a thickness which exceeds 45 ANGSTROM , yet has a reduced leakage current by filling the oxygen vacancies across the thickness thereof.
Bibliography:Application Number: KR19950028572