LOW-VELOCITY ELECTRON EXCITED PHOSPHOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

저속 전자선의 충돌에 의한 발광휘도가 높은 형광체와 그 제조 방법을 제공한다. 형광체의 모체결정의 입자에 발광중심으로 이루어진 활성제를 50keV이하의 주입에너지로 이온주입한다. 활성체는 깊이 0.5μm 보다도 얕은 범위에 들어간다. 이것을 900℃, 10초간의 단시간에서 어닐링을 한다. 이와같은 단시간 어닐링에 의하면 이온주입시에 형성이된 활성제의 분포가 열확산하여 깊은 범위에 넓어지는 일이 없다. 따라서 발광중심이 표면에 가까운층에 집중한 형광체가 얻어진다. 저속전자선의 충돌에 의하여 발광하는 것은 형광체의 표면에 가까운 부분뿐...

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Main Authors TOKI, HITOSHI, ITOH, SHIGEO, YONEZAWA, YOSHIHISA
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 01.12.1998
Edition6
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Summary:저속 전자선의 충돌에 의한 발광휘도가 높은 형광체와 그 제조 방법을 제공한다. 형광체의 모체결정의 입자에 발광중심으로 이루어진 활성제를 50keV이하의 주입에너지로 이온주입한다. 활성체는 깊이 0.5μm 보다도 얕은 범위에 들어간다. 이것을 900℃, 10초간의 단시간에서 어닐링을 한다. 이와같은 단시간 어닐링에 의하면 이온주입시에 형성이된 활성제의 분포가 열확산하여 깊은 범위에 넓어지는 일이 없다. 따라서 발광중심이 표면에 가까운층에 집중한 형광체가 얻어진다. 저속전자선의 충돌에 의하여 발광하는 것은 형광체의 표면에 가까운 부분뿐이므로, 이 형광체에 의하면 종래보다도 높은 발광휘도가 얻어진다. A low-velocity electron excited phosphor capable of exhibiting increased luminance and a method for producing the same. A matrix crystal for the phosphor is doped therein with an activator at implantation energy of 50 KeV by ion implantation, resulting in the activator entering a portion of the matrix crystal extending to a depth as small as 0.5 mu m from a surface thereof. Then, the phosphor is annealed for a reduced period of time as short as 10 seconds at a temperature of 900 DEG C. Such short-time annealing effectively prevents distribution of the activator in the matrix crystal formed during the implantation from being deeply spread into the matrix crystal by thermal diffusion. Thus, the activator concentratedly exists at only a portion of the matrix crystal in proximity to the surface thereof. Thus, the phosphor exhibits increased luminance as compared with a prior art, because luminescence of the phosphor is limited to the portion thereof in proximity to the surface.
Bibliography:Application Number: KR19930026351