METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE MEMORY

• Main Author: CHOE, JUNG-HYUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.12.1998
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 불휘발성 메모리 제조방법에 관해 개시한다. 셀영역(CA)과 주변회로영역(PA)이 설정되어 있고, 필드영역과 활성영역이 구분되어 있는 반도체 기판의 필드영역에 필드산화막을 형성한 다음 상기기판 상에 터널링 산화막, 하부게이트 및 게이트간 절연막을 순차적으로 형성한다. 상기 주변회로영역(PA)에서 상기 게이트간 절연막과 하부게이트 및 터널링 산화막을 제거한 다음 기판상에 게이트 산화막을 형성한다. 상기 반도체기판 전면에 상부게이트 및 상부절연막을 순차적으로 형성한다. 상기 상부절연막 및 상부게이트를 함께 식각하거나(제1 실시예) 개별적으로 식각(제2 실시예)하여 주변회로영역(PA)에 단층 게이트를 형성하고 셀 영역(CA)에 게이트 마스크패턴을 형성한다. 상기 게이트 마스크패턴을 이용하여셀 영역(CA)에 스택게이트패턴을 형성한다. 상기 반도체기판상에 층간절연막을 형성한 다음, 그 위에 금속배선을 형성한다. 본 발명에 의하면, 종말점 검출문제를 해결할 수 있고 공정단순화와 필드산화막의 손실을 최소화하여 소자분리특성감소나 기판의 손상 가능성을 제거할 수 있다. A manufacturing method of a nonvolatile memory includes the steps of forming a field oxide film on a Cell Region (CR) and a Peripheral circuit Area (PA) of a semiconductor substrate, and then defining an active region, sequentially forming a tunneling oxide film, a lower gate, and a gate insulating film, eliminating the gate insulating film, the lower gate, and tunneling oxide film on the PA, and then forming a gate oxide film on the substrate, forming an upper gate and an upper insulating film on the whole surface of the semiconductor substrate, etching the upper insulating film and the upper gate simultaneously (in the first embodiment) or separately (in the second embodiment), and then forming a single layer gate pattern and a stack gate pattern on the PA and on the CR, respectively, etching the gate insulating film and the lower gate on the CR by using a stack gate pattern, forming an interlayer dielectric film on the semiconductor substrate, and then forming a metallic wiring. Thus, a function of detecting an end point can be prevented from lowering, a process can also be simplified, and further a loss of the field oxide film can be minimized, so that it is possible to prevent the device isolation characteristics from being reduced and damage of the substrate can be prevented.