METHOD FOR FORMING A RESIST PATTERN

레지스트 패턴을 형성하는 방법은 고해상도와 넓은 초점 여유와 좋은 구성 및 높은 감도를 갖는다. 알칼리 현상액으로 현상되며 빛을 받자마자 화학적 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)은 반도체 기판(1)에 형성된다. 산성막은 레지스트막(2) 위에 산성 수용성 재료로부터 형성되며, 막의 두께가 1㎛일 때, 그 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖는다. 그 빛 (5)은 선택적으로 레지스트막(2)을 향하여 조사(照射)되어 레지스트막(2)에 상(像 )을 형성한다. 알칼리 현상액으로 레지스트막(2)을 현상하여 레지...

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Main Author KISHIMURA, SHINJI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.12.1998
Edition6
Subjects
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CINEMATOGRAPHY
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:레지스트 패턴을 형성하는 방법은 고해상도와 넓은 초점 여유와 좋은 구성 및 높은 감도를 갖는다. 알칼리 현상액으로 현상되며 빛을 받자마자 화학적 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)은 반도체 기판(1)에 형성된다. 산성막은 레지스트막(2) 위에 산성 수용성 재료로부터 형성되며, 막의 두께가 1㎛일 때, 그 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖는다. 그 빛 (5)은 선택적으로 레지스트막(2)을 향하여 조사(照射)되어 레지스트막(2)에 상(像 )을 형성한다. 알칼리 현상액으로 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성한다. A method of forming a resist pattern is provided that has high resolution, wide focus margin, and favorable configuration, and high sensitivity. A resist film of a type that is developed with an alkali developer and that is subject to chemical change upon receiving light is formed on a semiconductor substrate. On the resist film, an acid film is formed of an acid water-soluble material, and that has transmittance of at least 70% before and during exposure of the light when the film thickness thereof is 1 mu m. The light is selectively directed towards the resist film, whereby an image is formed in the resist film. The resist film is developed with an alkali developer to form a resist pattern.
Bibliography:Application Number: KR19950005875