CRYSTAL GROWTH METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR

• Main Authors: LEE, ILL-HANG, PARK, SUNG-JOO, NOH, JUNG-RAE, KIM, SUNG-BOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.12.1998
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 화합물 반도체의 결정 성장방법에 관한 것으로서, (100)면의 GaAs반도체기판에 습식 식각에 의해 경사면이 (100)면과 55˚이 경사각을 이루는 (111)면을 갖는 V자 홈(15)을 형성하고, 재차, 상기반도체기판을 염산용액과 HSO: HO: HO =20:1:1용액에 의해 경사면을 55˚보다 낮은 경사각, 예를들면, 48~53˚의 경사각을 갖는 비(非)-(111)면이 되도록 식각한후 빈도체기판의 상부에너지의 대역폭이 큰 장벽층과 작은 활성층으로 이루어진 쌍이 다수 개로 이루어지는 양자구조를 형성하도록 결정 성장한다. 이때, 장벽층과 활성층은 에너지가 낮은 가장 안정한 면을 이루면서 성장하므로 V자 홈 비-(111)면을 이루는 경사면에서 장벽층과 활성층은 (111)면을 이루는 방향으로 성장되고, 경사면을 이루는 비-(111)면과 성장면인 (111)면의 경계에서 장벽층과 활성층이 성장되지 않거나 성장 속도가 늦어 상기활성층은 V자 홈의 바닥에 형성되는 것과 경사면에 형성되는 것이 서로 분리된다. 따라서, V자 홈의 바닥에 형성되는 할성층의 폭을 한정하여 양자 세선 또는 양자점의 구조를 용이하게 이룰 수 있다.