NON-VOLATILE MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING IT

불휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 활성 여역 및 비활성 영역을 포함하는 반도체 기판 및 상기 활성 영역에 형성된 게이트 절연막을 포함하는 불휘발성 반도체 기억 장치에 있어서, 상기 게이트 절연막의 일부가 쿠이 효과 질화막에 의해서 성장이 억제된 터널 절연막인 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의해서 형성된 불휘발성 반도체 기억 장치는 상기 터널 절연막의 두께가 충분히 얇아서, 동작 전압을 낮추어 소자의 신뢰성을 향상시킨다....

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Main Author CHOE, JUNG-HYUK
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 01.08.1998
Edition6
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:불휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 활성 여역 및 비활성 영역을 포함하는 반도체 기판 및 상기 활성 영역에 형성된 게이트 절연막을 포함하는 불휘발성 반도체 기억 장치에 있어서, 상기 게이트 절연막의 일부가 쿠이 효과 질화막에 의해서 성장이 억제된 터널 절연막인 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의해서 형성된 불휘발성 반도체 기억 장치는 상기 터널 절연막의 두께가 충분히 얇아서, 동작 전압을 낮추어 소자의 신뢰성을 향상시킨다.
Bibliography:Application Number: KR19950014332