POLY CRYSTALLINE SILICON FABRICATION FOR TFT

본 발명은 박막 트랜지스터용 다결정 실린콘 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 열처리 시간이 길고, 결정립 크기의 균일도가 나쁜 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 유리 기판(1)위에 홈을 형성하는 공정(A)과, 상기 기판(1)위에 열처리에 의해서 다결정 실리콘(3)을 형성하는 공정(B)과, 상기 다결정 실리콘(3)을 소정모양으로 만드는 공정(C)을 제공함으로써, 고성능의 트랜지스터를 제작할 수 있고, 균일한 특성을 가진 작은 크기의 트랜지스터도 쉽게 제작할 수 있다....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors NAM, KI-SOO, YU, BYUNG-KON, SONG, YUN-HO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 23.04.1998
Edition6
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:본 발명은 박막 트랜지스터용 다결정 실린콘 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 열처리 시간이 길고, 결정립 크기의 균일도가 나쁜 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 유리 기판(1)위에 홈을 형성하는 공정(A)과, 상기 기판(1)위에 열처리에 의해서 다결정 실리콘(3)을 형성하는 공정(B)과, 상기 다결정 실리콘(3)을 소정모양으로 만드는 공정(C)을 제공함으로써, 고성능의 트랜지스터를 제작할 수 있고, 균일한 특성을 가진 작은 크기의 트랜지스터도 쉽게 제작할 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR19930028692