MANUFACTURING METHOD OF MASK ROM

• Main Authors: JUNG, SEUNG-WOON, KIM, HYUNG-DUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 12.11.1997
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

On a conductive layer(34) for forming a ROM code, an oxide preventing layer(39) is formed. A portion of the conductive layer(34) is selectively removed and a portion of thickness of the exposed conductive layer(34) is removed. The remained conductive layer(34) is oxidized in order to form an oxidezed polysilicon layer(34'). By selectively oxidizing a portion of the conductive layer(34) for forming ROM code, it is possible to substantially prevent a generation of leakage current due to micro bridge or short. 본 발명은 전도막(34)의 소정부위를 식각하여 이부위에 롬 코드를 형성하는 마스크 롬 제조방법에 있어서, 상기 전도막(34)상에 산화 방지막(39)을 형성하는 단계; 롬 코드를 형성할 상기 한화 방지막(39)의 예정된 부위를 선택 제거한후 노출된 상기 전도막(34)의 전체 두께중 일부 두께를 제거하는 단계; 상기 노출부위의 잔류전도막을 산화(34)시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 제조방법에 관한 것으로, 상기 전도막(34)의 예정된 부위를 부분산화(34')시킴으로써 전기적으로 완전히 절연 및 차단시켜 단란현상 및 마이크로 브리지의 발생으로 인한 누설 전류 발생을 방지할 수 있는 마스크 롬 제조방법에 관한 것이다.