SILICON ETCHING SOLUTION, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SILICON DEVICE MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: OKIMURA KOSHIRO, HITOMI TATSUYA, SEIKE YOSHIKI, NORO KOSUKE
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 03.06.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a silicon etching solution that has excellent crystal plane isotropy for silicon etching and high etching selectivity with respect to a silicon oxide film by solving a problem in which, in etching a single crystal silicon substrate having a Si crystal plane ((100), (110), or (111) plane) as the main surface, an etching rate of the (110) plane cannot be sufficiently reduced, and improvement in an etching rate ratio between the (110) plane and the (111) plane is needed.SOLUTION: A silicon etching solution includes an acid group-containing compound having at least one acid group selected from a group consisting of a carboxy group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group, and a phosphonic acid group, and having an acid group with a pKa of 3.5 to 13, a quaternary ammonium hydroxide, an oxidizing agent, and water.SELECTED DRAWING: None 【課題】Ｓｉ結晶面（（１００）面、（１１０）面、（１１１）面）を主面とする単結晶シリコン基板のエッチングでは、（１１０）面のエッチング速度については十分低減することができず、（１１０）面と（１１１）面とのエッチング速度比に改善の余地があった。シリコンエッチングの結晶面等方性が優れ、且つシリコン酸化膜とのエッチング選択比が高いシリコンエッチング液を提供することを目的とする。【解決手段】カルボキシ基、スルホン酸基、リン酸基、及びホスホン酸基から成る群から選択される少なくとも１つの酸基を有し、且つｐＫａが３．５以上１３以下である酸基を有する酸基含有化合物、水酸化第四級アンモニウム、酸化剤、及び水を含むシリコンエッチング液によって課題を解決する。【選択図】 なし