SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a semiconductor device capable of appropriately adjusting the switching speed of an output stage element.SOLUTION: A semiconductor device according to an embodiment includes a first transistor, a first drive circuit including a second transistor, and a second drive circuit including a thi...

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Main Authors HUNG HUNG, SUGIYAMA TORU, YOSHIOKA AKIRA, ONOMURA MASAAKI, ONO TETSUYA, KOBAYASHI HITOSHI, ISOBE YASUHIRO, YOSHIKAWA NORIO, KURIYAMA YASUHIKO, SEKIGUCHI HIDEKI
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 29.03.2024
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Summary:To provide a semiconductor device capable of appropriately adjusting the switching speed of an output stage element.SOLUTION: A semiconductor device according to an embodiment includes a first transistor, a first drive circuit including a second transistor, and a second drive circuit including a third transistor. The second transistor and the third transistor are connected in series, and the connection node is connected to a gate electrode of the first transistor. The first transistor, the second transistor, and the third transistor are normally-off MOS HEMTs formed on a first substrate containing GaN. The first drive circuit charges the parasitic capacitance of the first transistor. The second drive circuit discharges the parasitic capacitance of the first transistor.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】出力段素子のスイッチング速度を適切に調整することができる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1トランジスタと、第2トランジスタを含む第1駆動回路と、第3トランジスタを含む第2駆動回路と、を備える。第2トランジスタおよび第3トランジスタは、直列に接続され、その接続ノードが第1トランジスタのゲート電極に接続される。前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタおよび前記第3トランジスタは、GaNを含む第1基板に形成されたノーマリーオフ形のMOS形のHEMTである。前記第1駆動回路は、前記第1トランジスタの寄生容量を充電する。前記第2駆動回路は、前記第1トランジスタの寄生容量を放電する。【選択図】図1
Bibliography:Application Number: JP20220147859