RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMING METHOD, COMPOUND AND ACID DIFFUSION CONTROL AGENT

• Main Authors: KOBAYASHI RYOTA, NGUYEN KHANHTIN, ODASHIMA RIN, TODOROKI SEIJI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 26.03.2024
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HETEROCYCLIC COMPOUNDS; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC CHEMISTRY; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

To provide a resist composition in which both higher sensitivity and roughness reduction are satisfied in forming a resist pattern, and a pattern with enhanced rectangularity of a satisfactory shape can be formed, and to provide a resist pattern forming method, and a compound useful as a basic component for the resist composition.SOLUTION: A resist composition contains a base material component whose dissolubility to developer changes by an action of acid, and a compound represented by general formula (d0). In the formula (d0), Rf denotes a fluorinated hydrocarbon group. V0 denotes a hydrocarbon group which may have a substituent group or a single bond. Y0 denotes a divalent linking group including oxygen atoms. I denotes an iodine atom. x denotes an integer of 1 to 4; y denotes an integer of 1 to 4; and 2≤x+y≤5. The total number of fluorine atoms included in x pieces of Rf is 5 or more. Mm+ denotes sulfonium cation or iodonium cation. m denotes an integer of 1 or more.SELECTED DRAWING: None 【課題】レジストパターンを形成する際、高感度化とラフネス低減との両立が図られるとともに、矩形性が高められた良好な形状のパターンを形成できるレジスト組成物、レジストパターン形成方法、当該レジスト組成物用の塩基成分として有用な化合物を提供する。【解決手段】本発明は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式（ｄ０）で表される化合物と、を含有するレジスト組成物を採用する。式（ｄ０）中、Ｒｆは、フッ素化炭化水素基である。Ｖ０は、置換基を有してもよい炭化水素基又は単結合である。Ｙ０は、酸素原子を含む２価の連結基である。Ｉは、ヨウ素原子である。ｘは１～４の整数であり、ｙは１～４の整数であり、２≦ｘ＋ｙ≦５である。ｘ個のＲｆに含まれるフッ素原子の総数は、５個以上である。Ｍｍ＋は、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンである。ｍは１以上の整数である。［化１］TIFF2024040793000122.tif35170【選択図】なし