SILICON ETCHANT

• Main Authors: OKIMURA KOSHIRO, HITOMI TATSUYA, NORO KOSUKE, SEIKE YOSHIKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 13.03.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a new chemical solution that can wet-etch silicon at high speed when manufacturing a semiconductor device, etc.SOLUTION: An alkaline aqueous solution containing an alkaline compound such as quaternary ammonium hydroxide is a silicon etching agent containing an N-halogenated imide compound, preferably at a concentration of 1 to 500 mmol/L, particularly preferably 20 to 200 mmol/L. As the N-halogenated imide compound, 5- to 7-membered N-brominated cyclic imides such as N-bromosuccinimide, N-bromo-2-methylsuccinimide, and N-bromoglutarate imide are preferred. Further, the alkaline compound is preferably included in a concentration such that the pH is 12.0 or higher, particularly 12.5 or higher.SELECTED DRAWING: None 【課題】 半導体デバイス等の製造時に、シリコンを高速でウェットエッチングすることのできる新しい薬液を提供する。【解決手段】 水酸化第四級アンモニウムのようなアルカリ化合物を含むアルカリ性の水溶液であって、Ｎ－ハロゲン化イミド化合物を、好ましくは１～５００ｍｍｏｌ／Ｌ、特に好ましくは２０～２００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度で含むシリコンエッチング剤。Ｎ－ハロゲン化イミド化合物としては、Ｎ－ブロモコハク酸イミド、Ｎ－ブロモ－２－メチルコハク酸イミド、Ｎ－ブロモグルタル酸イミド等の５～７員環のＮ－ブロモ化された環状イミドが好ましい。またアルカリ化合物は、ｐＨが１２．０以上、特に１２．５以上となる濃度で含まれることが好ましい。【選択図】 なし