DIELECTRIC STRUCTURE FOR SMALL PIXEL DESIGN

• Main Authors: YAUNG DUN-NIAN, HUNG FENGI, HSU WEN-I, LIU JENNG, CHEN WEI LONG
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 25.01.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide an image sensor improving performance and reducing costs and a forming method for the same.SOLUTION: An image sensor includes a substrate 102 having a first region 103a and a second region 103b. A first transfer gate 110 overlies the first region. A second transfer gate 110b overlies the second region. A deep trench isolation (DTI) structure 115 is in the substrate and laterally between the first region and the second region. A first floating diffusion node 106a is in the first region, a second floating diffusion node 106b is in the second region, and an interlayer dielectric (ILD) structure 116 is over the substrate. A dielectric structure 112 is between the ILD structure and the substrate, is laterally between the first and second floating diffusion nodes, is laterally spaced from the first and second gates, and overlies the DTI structure. A width of the dielectric structure is greater than a width of the DTI structure.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】性能を改善しコストを削減するイメージセンサ及びその形成方法を提供する。【解決手段】イメージセンサは、第１の画素領域１０３ａ及び第２の画素領域１０３ｂを有する基板１０２を備える。第１の転送ゲート１１０は、第１の画素領域の上に配置される。第２の転送ゲート１１０ｂは、第２の画素領域の上に配置される。ディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）構造１１５は、基板内にあり、横方向で第１の画素領域と第２の画素領域との間に配置される。第１浮遊拡散ノード１０６ａは第１の画素領域に、第２浮遊拡散ノード１０６ｂは第２の画素領域に、中間層誘電体（ＩＬＤ）構造１１６は基板の上に、配置される。誘電体構造１１２は、ＩＬＤ構造と基板との間に配置され、横方向で第１、第２の浮遊拡散ノードの間に配置され、第１、第２のゲートから横方向に離間し、ＤＴＩ構造の上に配置される。誘電体構造の幅は、ＤＴＩ構造の幅より大きい。【選択図】図１