MEMORY SYSTEM

To provide a memory system that suppresses deterioration in memory access performance to a semiconductor memory device.SOLUTION: A memory system 100 includes: a semiconductor memory device 120 that includes a plurality of bank groups BG0 to BG15; and a memory controller 110 that issues a command in...

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Main Authors TAKIZAWA TETSUO, NA HYOUNGJUN
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 17.01.2024
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Summary:To provide a memory system that suppresses deterioration in memory access performance to a semiconductor memory device.SOLUTION: A memory system 100 includes: a semiconductor memory device 120 that includes a plurality of bank groups BG0 to BG15; and a memory controller 110 that issues a command in response to a request for access to the semiconductor memory device from an arithmetic unit 200 that accesses the semiconductor memory device. The memory controller sets, according to a data length of the data when the access is requested, an access burst length BLa, which is a burst length when accessing such data, and performs parallel access to access destination bank groups, which are a plurality of bank groups that are different from each other among a plurality of bank groups whose number depends on the access burst length.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】メモリシステムにおいて、半導体メモリ装置へのメモリアクセス性能の低下を抑制する。【解決手段】メモリシステム100は、複数のバンクグループBG0~BG15を備える半導体メモリ装置120と、半導体メモリ装置にアクセスする演算装置200から半導体メモリ装置へのアクセス要求に応じてコマンドを発行するメモリコントローラ110と、を備え、メモリコントローラは、アクセス要求のデータのデータ長に応じて、かかるデータへのアクセス時のバースト長であるアクセスバースト長BLaを設定し、複数のバンクグループのうちの互いに異なる複数のバンクグループであって、アクセスバースト長に応じた数の複数のバンクグループであるアクセス先バンクグループに対して並列してアクセスを行う。【選択図】図1
Bibliography:Application Number: JP20220104160