SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: ISHII MASAHITO, KOYAMA JUN, TAKAHASHI KEI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 10.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a DCDC converter which achieves improvement in power conversion efficiency.SOLUTION: A semiconductor device includes: a transistor which functions as a switching element for controlling output power and comprises a back gate electrode for controlling a threshold voltage in addition to a normal gate electrode; and a back gate control circuit for controlling a level of a voltage applied to the back gate electrode according to a magnitude of an output voltage output from a DCDC converter. By controlling potential applied to the back gate electrode by the back gate control circuit, the threshold voltage can be adjusted in such a manner that on-resistance is decreased when the output power is large and the threshold voltage can be adjusted in such a manner that an off-state current is decreased when the output power is small. in addition, the transistor functioning as the switching element is an insulated gate filed effect transistor having an extremely small off-state current.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】電力変換効率の向上を実現するＤＣＤＣコンバータの提供を目的の一とする。【解決手段】出力電力を制御するためのスイッチング素子として機能するトランジスタが、通常のゲート電極に加えて、閾値電圧を制御するためのバックゲート電極を備える。そして、ＤＣＤＣコンバータから出力される出力電力の大きさに従って、バックゲート電極に与える電位の高さを制御するための、バックゲート制御回路を備える。バックゲート制御回路により、バックゲート電極に与える電位を制御することで、出力電力が大きい場合にはオン抵抗が下がるように閾値電圧を調整し、出力電力が小さい場合にはオフ電流が下がるように閾値電圧を調整することができる。さらに、スイッチング素子として機能するトランジスタが、オフ電流の極めて小さい絶縁ゲート電界効果型トランジスタである。【選択図】図１