SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: OSUMI YUJI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 09.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To easily manufacture a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device includes: a control circuit including a first conductivity-type semiconductor layer 33 and configured to drive a power transistor; a power terminal electrically connected to the semiconductor layer 33 and configured to be able to apply an operating voltage of the control circuit; a ground terminal electrically connected to the control circuit; and an ESD protection circuit 50 electrically connected to both of the power terminal and the ground terminal and configured to protect the control circuit from a current caused by static electricity applied to the power terminal. The ESD protection circuit 50 includes a protective transistor 51 using the semiconductor layer 33. The protective transistor 51 is a bipolar transistor composed of the semiconductor layer 33, a second conductivity-type first well region 61 formed on a front side surface 33s of the semiconductor layer 33, and a first conductivity-type second well region 62 formed on a front side surface of the first well region 61.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】半導体装置を容易に製造すること。【解決手段】半導体装置は、第１導電型の半導体層３３を有し、パワートランジスタを駆動する制御回路と、半導体層３３と電気的に接続され、制御回路の動作電圧が印加可能に構成された電源端子と、制御回路と電気的に接続された接地端子と、電源端子と接地端子との双方に電気的に接続され、電源端子に印加する静電気に起因する電流から制御回路を保護するＥＳＤ保護回路５０と、を備える。ＥＳＤ保護回路５０は、半導体層３３を用いた保護トランジスタ５１を有する。保護トランジスタ５１は、半導体層３３と、半導体層３３の表面３３ｓに形成された第２導電型の第１ウェル領域６１と、第１ウェル領域６１の表面に形成された第１導電型の第２ウェル領域６２と、によって構成されたバイポーラトランジスタである。【選択図】図４