PROCESSING SYSTEM AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE

• Main Authors: GOTO MASAYA, SAKAI KEI, TSUNODA JUNICHI, YAMAGUCHI SATOSHI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 16.10.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a processing system capable of determining the degree of growth of the epitaxial layer grown in the grooves or holes or the presence or absence of defects from an image of grooves or holes such as those between inner spacers, and a charged particle beam device.SOLUTION: In a processing system including a computer system, the computer system is configured to calculate the distance and brightness values of the layers from a signal profile that is obtained by irradiating the layer between the multiple structure bodies with an electron beam in one direction on the two-dimensional plane of the layer, and to determine or output the state of the layer based on the distance and the brightness value.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】インナースペーサーとインナースペーサーとの間のような溝あるいは孔の画像から、溝や孔内に成長したエピタキシャル層の成長度合いまたは欠陥の有無を判定することを目的とした、処理システムおよび荷電粒子ビーム装置を提案する。【解決手段】コンピュータシステムを備えた処理システムにおいて、前記コンピュータシステムは、複数の構造体の間の層に電子ビームを照射することによって得られた、前記層に係る２次元平面上の一方向に応じた信号プロファイルから、前記層に係る距離および輝度値を算出し、前記距離および前記輝度値に基づいて、前記層の状態を判定または出力する。【選択図】図６