SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: KAWAKAMI YASUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 12.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a semiconductor device capable of reducing forward voltage while suppressing a reverse leakage current to a comparable level as in a conventional technology and also decreasing a variation in the reverse leakage current.SOLUTION: A semiconductor device 1 includes: a substrate 5 composed of n+ type SiC; a drift layer 6 laminated on a surface 5A of the substrate 5 and composed of an n- type SiC semiconductor layer having a surface and a back surface; an anode electrode 12 which is in contact with the surface of the SiC semiconductor layer and has a multilayered structure (a titanium layer 121, an aluminum layer 122); and a cathode electrode 8 formed on the back surface side of the SiC semiconductor layer. A Schottky junction unit 11 is formed between the anode electrode and the surface of the SiC semiconductor layer, and a plurality of fine recessed regions repeatedly arranged in cross sectional view are formed on only the Schottky junction unit of the SiC semiconductor layer. A part of the anode electrode is embedded in the fine recessed region.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】逆方向リーク電流を従来と同程度に抑えながら、順方向電圧を低減することができ、さらに、逆方向リーク電流のばらつきを小さくすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、ｎ＋型ＳｉＣからなる基板５と、基板５の表面５Ａに積層され、表面および裏面を有するｎー型ＳｉＣ半導体層からなるドリフト層６と、ＳｉＣ半導体層の表面に接し、多層構造（チタン層１２１、アルミニウム層１２２）を有するアノード電極１２と、ＳｉＣ半導体層の裏面側に形成されたカソード電極８と、を含む。アノード電極とＳｉＣ半導体層の表面との間にショットキー接合部１１が形成され、ＳｉＣ半導体層のショットキー接合部のみに、断面視において繰り返し配列された複数の微細な凹部が形成されている。アノード電極の一部は、微細な凹部に埋め込まれている。【選択図】図２