SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERTER
To reduce a surge voltage caused by a wiring inductance by effectively reducing the wiring inductance of a bus bar.SOLUTION: A semiconductor module has a switching circuit constituted by a first semiconductor element 103a and a second semiconductor element 103b connected in series, and is provided w...
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Format | Patent |
Language | English Japanese |
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25.08.2023
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Summary: | To reduce a surge voltage caused by a wiring inductance by effectively reducing the wiring inductance of a bus bar.SOLUTION: A semiconductor module has a switching circuit constituted by a first semiconductor element 103a and a second semiconductor element 103b connected in series, and is provided with a first bus bar 201 connected with a positive electrode side of the first semiconductor element 103a, a second bus bar 202 connected with a negative electrode side of the second semiconductor element 103b, and a third bus bar 203 connected with a negative electrode side of the first semiconductor element 103a and a positive electrode side of the second semiconductor element 103b. One bus bar of the first bus bar 201 and the second bus bar 202 is arranged so as to sandwich the third bus bar 203 and the other bus bar of the first bus bar 201 and the second bus bar 202 while the first bus bar 201, the second bus bar 202 and the third bus bar 203 extend in the same direction.SELECTED DRAWING: Figure 3
【課題】バスバーの配線インダクタンスを効果的に抑制することにより、配線インダクタンスに起因したサージ電圧を低減する。【解決手段】直列接続された第1半導体素子103aと第2半導体素子103bから成るスイッチング回路を有し、第1半導体素子103aの正極側が接続される第1バスバー201と、第2半導体素子103bの負極側が接続される第2バスバー202と、第1半導体素子103aの負極側と第2半導体素子103bの正極側が接続される第3バスバー203を設け、第1バスバー201と第2バスバー202と第3バスバー203は同一方向に延びるとともに、第1バスバー201と第2バスバー202のうちのいずれか一方のバスバーは、第3バスバー203、及び第1バスバー201と第2バスバー202のうちの他方のバスバーを挟み込むように配置されている。【選択図】図3 |
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Bibliography: | Application Number: JP20220020937 |