FLASH MEMORY CONTROL METHOD AND DEVICE

To provide a flash memory control method and device.SOLUTION: According to one embodiment, a method includes the steps for: adjusting first programming time and programming voltage and performing a first programming for a target memory cell; adjusting second programming time and performing a second...

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Main Authors YOON DAEKUN, YUN SEOK JU, KIM SANGJOON
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 04.08.2023
Subjects
CALCULATING
COMPUTER SYSTEMS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
COMPUTING
COUNTING
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:To provide a flash memory control method and device.SOLUTION: According to one embodiment, a method includes the steps for: adjusting first programming time and programming voltage and performing a first programming for a target memory cell; adjusting second programming time and performing a second programming on the target memory cell when a cell current of the memory cell satisfies a primary goal for the first programming; and terminating programming to the target memory cell when the cell current of the target memory cell satisfies a secondary goal for the second programming.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】フラッシュメモリ制御方法及び装置が提供される。【解決手段】一実施形態によると、第１プログラミング時間及びプログラミング電圧を調整してターゲットメモリセルに対する第１プログラミングを行うステップと、ターゲットメモリセルのセル電流が第１プログラミングに関する１次目標を満足すると、第２プログラミング時間を調整して前記ターゲットメモリセルに対する第２プログラミングを行うステップと、ターゲットメモリセルのセル電流が前記第２プログラミングに関する２次目標を満足すると、ターゲットメモリセルに対するプログラミングを終了するステップとを含む。【選択図】図１
Bibliography:Application Number: JP20230002873