THREE-WAY COMBINED RF POWER AMPLIFIER ARCHITECTURE

• Main Authors: HUSSAIN HASANALI LADHANI, RAMANUJAM SRINIDHI EMBAR, TUSHAR SHARMA, SHISHIR RAMASARE SHUKLA, MICHAEL GUYONNET
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 12.05.2023
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRICITY; IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS; TRANSMISSION

To provide systems and methods for amplifying a signal.SOLUTION: A circuit may convert an input frequency (RF) signal into: a first RF signal with a power level matching a power capacity of a first transistor of a first size in a carrier amplifier stage; a second RF signal with a power level matching a power capacity of a second transistor of the first size in a peak amplifier stage; and a third RF signal with a third power level matching a power capacity of a third transistor of a second size in another peak amplifier stage. The circuit may amplify the first, second, and third RF signals to generate first, second, and third amplified RF signals, respectively. The circuit may combine the first, second, and third amplified RF signals, into an output RF signal that is an amplified version of the input RF signal.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】信号を増幅するためのシステムおよび方法を提供する。【解決手段】回路は、入力周波数（ＲＦ）信号を、キャリア増幅段において第１のサイズを有する第１のトランジスタの電力容量に一致する電力レベルを有する第１のＲＦ信号に変換してもよく、ピーク増幅段において第１のサイズを有する第２のトランジスタの電力容量に一致する電力レベルを有する第２のＲＦ信号に変換してもよく、別のピーク増幅段において第２のサイズを有する第３のトランジスタの電力容量に一致する第３の電力レベルを有する第３のＲＦ信号に変換してもよい。回路は、第１、第２、および第３のＲＦ信号を増幅して、第１、第２、および第３の増幅ＲＦ信号をそれぞれ生成してもよい。回路は、第１、第２、および第３の増幅ＲＦ信号を、入力ＲＦ信号を増幅したものである出力ＲＦ信号に結合してもよい。【選択図】図１