SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Authors: TAKAHASHI HIROAKI, OKUNO YASUTOSHI, OHASHI YASUHIKO
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 06.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a substrate processing device and a substrate processing method with which it is possible to improve the uniformity of etching on substrates.SOLUTION: A substrate processing device 100 comprises a first nozzle 141, a second nozzle 241, and a control unit 102. The first nozzle 141 supplies an etching liquid to the upper surface of a substrate W. The second nozzle 241 supplies a rinse liquid to the upper surface of the substrate W. The control unit 102 controls the supply of the etching liquid from the first nozzle 141 and the supply of the rinse liquid from the second nozzle 241. The control unit 102 causes the etching liquid to be discharged from the first nozzle 141 to at least a first region R1 of the substrate W. The control unit 102 causes the rinse liquid to be discharged from the second nozzle 241 toward a second region R2 which is different from the first region R1 in a radial direction RD, while the first nozzle 141 is discharging the etching liquid on the side inward from the second nozzle 241 in the radial direction RD of the substrate W.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】基板に対するエッチングの均一性を向上させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、第１ノズル１４１と、第２ノズル２４１と、制御部１０２とを備える。第１ノズル１４１は、基板Ｗの上面にエッチング液を供給する。第２ノズル２４１は、基板Ｗの上面にリンス液を供給する。制御部１０２は、第１ノズル１４１からのエッチング液の供給、及び、第２ノズル２４１からのリンス液の供給を制御する。制御部１０２は、第１ノズル１４１から、少なくとも基板Ｗの第１領域Ｒ１にエッチング液を吐出させる。制御部１０２は、第１ノズル１４１が、第２ノズル２４１よりも基板Ｗの径方向ＲＤにおいて内側でエッチング液を吐出している際に、第１領域Ｒ１と径方向ＲＤにおいて異なる第２領域Ｒ２に向けて第２ノズル２４１からリンス液を吐出させる。【選択図】図２