PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE

• Main Authors: MORIMOTO KAZUHIRO, KANO TAIKAN, IWATA JUNJI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 03.04.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To resolve a problem that a breakdown voltage changes with time due to increase of hot carriers trapped in the vicinity of a cathode region with time.SOLUTION: In a photoelectric conversion device that has an avalanche diode arranged on a semiconductor layer having a first surface and a second surface opposed to the first surface, the avalanche diode has: a first semiconductor region of a first conductivity type arranged at a first depth; and a second semiconductor region of a second conductivity type arranged at a second depth deeper than the first depth to the second surface. On the second surface of the semiconductor layer, an oxide film and a protection film laminated on the oxide film are arranged. When thicknesses and relative dielectric constants of the oxide film and the protection film are defined as dsio, dprot, εsio, and εprot, respectively, there is a position where dsio>(εsio/εprot)×dprot/2 is satisfied.SELECTED DRAWING: Figure 6 【課題】 カソード領域付近にトラップされるホットキャリアが経時的に増加することで降伏電圧が経時変化する。【解決手段】 第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、を有する半導体層に配されたアバランシェダイオードを有する光電変換装置であって、前記アバランシェダイオードは、第１の深さに配された第１の導電型の第１の半導体領域と、前記第１の深さよりも前記第２の面に対して深い第２の深さに配された第２の導電型の第２の半導体領域と、を有し、前記半導体層の前記第２の面に、酸化膜と、前記酸化膜に積層された保護膜と、が配され、前記酸化膜と前記保護膜との厚さと比誘電率とをそれぞれｄｓｉｏ、ｄｐｒｏｔ、εｓｉｏ、εｐｒｏｔとしたときに、ｄｓｉｏ＞（εｓｉｏ／εｐｒｏｔ）×ｄｐｒｏｔ／２を満たす箇所があることを特徴とする光電変換装置。【選択図】 図６