DISPLAY DEVICE COMPRISING OXIDE SEMICONDUCTOR
To provide a display device capable of preventing the appearance of unevenness in low grayscale and reducing the current variation rate due to a voltage applied to a gate electrode of a driving thin-film transistor without changing characteristics of a switching thin-film transistor.SOLUTION: A disp...
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Format | Patent |
Language | English Japanese |
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13.03.2023
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Summary: | To provide a display device capable of preventing the appearance of unevenness in low grayscale and reducing the current variation rate due to a voltage applied to a gate electrode of a driving thin-film transistor without changing characteristics of a switching thin-film transistor.SOLUTION: A display device comprises an oxide semiconductor. The display device may include at least one switching thin-film transistor and a driving thin-film transistor, both being provided on a device substrate. The driving thin-film transistor may include a driving semiconductor pattern made of the oxide semiconductor. A light-blocking pattern may be provided between the device substrate and the driving semiconductor pattern. The light-blocking pattern may be located close to the driving semiconductor pattern.SELECTED DRAWING: Figure 2
【課題】低階調でむらの発生を防止することができるディスプレイ装置を提供する。また、スイッチング薄膜トランジスタの特性変化なしに、駆動薄膜トランジスタのゲート電極に印加される電圧による電流変動率を減少させることができるディスプレイ装置を提供する。【解決手段】ディスプレイ装置は、酸化物半導体を含む。ディスプレイ装置は、素子基板上に位置する少なくとも一つのスイッチング薄膜トランジスタ及び駆動薄膜トランジスタを含むことができる。駆動薄膜トランジスタは、酸化物半導体からなる駆動半導体パターンを含むことができる。素子基板と駆動半導体パターンとの間には、遮光パターンが位置することができる。遮光パターンは、駆動半導体パターンに近くに位置することができる。【選択図】 図2 |
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Bibliography: | Application Number: JP20220130606 |