SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: YAKUBO HIROTO, KUROKAWA YOSHIMOTO, MIYATA SHOKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 20.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a semiconductor device with reduced power consumption.SOLUTION: There is provided a semiconductor device including a first transistor and a second transistor. The first transistor is a p-channel transistor including silicon in a channel formation region, and the second transistor is an n-channel transistor including a metal oxide in a channel formation region. The metal oxide includes indium, an element M (e.g., gallium), and zinc. A gate of the first transistor is electrically connected to a gate of the second transistor, and one of a source and a drain of the first transistor is electrically connected to one of a source and a drain of the second transistor. The first transistor and the second transistor can each operate in a subthreshold region.SELECTED DRAWING: Figure 9 【課題】消費電力が低減された半導体装置を提供する。【解決手段】第１トランジスタと、第２トランジスタと、を有する半導体装置である。第１トランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを含むｐチャネル型トランジスタであり、第２トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を含むｎチャネル型トランジスタである。金属酸化物は、インジウム、元素Ｍ（元素Ｍはガリウムなど）、及び亜鉛を有する。第１トランジスタのゲートは、第２トランジスタのゲートに電気的に接続され、第１トランジスタのソース又はドレインの一方は、第２トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。第１トランジスタ、及び第２トランジスタは、サブスレッショルド領域で動作する場合を含む。【選択図】図９