MEMORY SYSTEM

• Main Authors: SHIRAKAWA MASANOBU, TAKADA MARIE
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 05.10.2022
• Subjects: CALCULATING; COMPUTING; COUNTING; ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

To improve the characteristics of a memory system.SOLUTION: According to one embodiment, a memory system includes: a non-volatile memory device; and a controller configured to execute error correction processing on first data read from a first area at a first address of the non-volatile memory device and detect a read level used for reading data at the first address according to a result of the correction processing. The controller is configured to execute the correction processing on first frame data of the first data, execute the correction processing on second frame data of the first data when the correction processing on the first frame data has failed, and determine the read level based on a result of comparison between the second frame data and a result of the correction processing on the second frame data when the correction processing on the second frame data has succeeded.SELECTED DRAWING: Figure 13 【課題】メモリシステムの特性を向上する。【解決手段】実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリデバイスと、不揮発性メモリデバイスの第１のアドレスの第１のエリアから読み出された第１のデータに対してエラーの訂正処理を実行し、訂正処理の結果に応じて、前記第１のアドレスのデータの読み出しに用いられる読み出しレベルを検出するコントローラと、を備える。コントローラは、第１のデータの第１のフレームデータに対して、訂正処理を実行し、第１のフレームデータに対する訂正処理が失敗した場合、第１のデータの第２のフレームデータに対して、訂正処理を実行し、第２のフレームデータに対する前記訂正処理が成功した場合、第２のフレームデータと第２のフレームデータの前記訂正処理の結果との比較結果に基づいて、読み出しレベルを検出する。【選択図】 図１３