SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: IWASAKI AKIHISA, OKUNO YASUTOSHI, INABA MAKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 06.09.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus for satisfactorily controlling an etching amount of a metal layer at accuracy of a nanometer or less at each position of a principal surface of a substrate.SOLUTION: A substrate processing method includes: a metal oxide layer forming step in which oxidizing fluid is supplied toward a principal surface of a substrate, thereby forming a metal oxide layer comprising one atomic layer or several atomic layers on a surface layer of a metal layer; and a metal oxide layer removing step in which etching fluid containing at least any one of water in a gaseous state and water in a mist state as well as a reactive gas that reacts with the metal oxide layer together with the water is supplied toward the principal surface of the substrate, thereby etching the metal oxide layer and selectively removing the metal oxide layer from the principal surface of the substrate. Cycle processing in which the metal oxide layer forming step and the metal oxide layer removing step are given as one cycle is executed at least in one cycle, thereby controlling an etching amount of the metal layer for each cycle at accuracy of a nanometer or less.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】基板の主面の各位置においてナノメートル以下の精度で金属層のエッチング量を良好に制御する基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は、基板の主面に向けて酸化性流体を供給することによって、１原子層または数原子層からなる酸化金属層を金属層の表層に形成する酸化金属層形成工程と、ガス状態の水およびミスト状態の水の少なくともいずれかと、水とともに酸化金属層と反応する反応性ガスとを含有するエッチング流体を基板の主面に向けて供給することによって、酸化金属層をエッチングして基板の主面から選択的に除去する酸化金属層除去工程とを含む。酸化金属層形成工程および酸化金属層除去工程を１サイクルとするサイクル処理を少なくとも１サイクル実行することによって、サイクル毎にナノメートル以下の精度で金属層のエッチング量が制御される。【選択図】図５