ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE

• Main Authors: HOSONO MAKI, SATO SHU, SHIMIZU AKITAKA
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 27.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide an etching method and an etching device capable of etching Si or SiN with good surface roughness.SOLUTION: An etching method for etching Si or SiN existing on a substrate includes applying radical oxidation treatment to the substrate having Si or SiN to form an oxide film on the surface of Si or SiN, performing chemical treatment of the oxide film with gas, and removing a reaction product produced by the chemical treatment, and repeatedly executes forming the oxide film, performing chemical treatment, and removing the reaction product.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ＳｉまたはＳｉＮをエッチングする際に、表面ラフネスを良好にしてエッチングすることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供する。【解決手段】基板に存在するＳｉまたはＳｉＮをエッチングするエッチング方法は、ＳｉまたはＳｉＮを有する基板に対してラジカル酸化処理を施し、ＳｉまたはＳｉＮの表面に酸化膜を生成することと、酸化膜に対してガスによる化学的処理を行うことと、化学的処理により生成された反応生成物を除去することとを有し、酸化膜を生成することと、化学的処理を行うことと、反応生成物を除去することとを複数回繰り返す。【選択図】図１