PLASMA PROCESSING SYSTEM AND PLASMA PROCESSING METHOD

• Main Authors: MOHD FAIRUZ BIN BUDIMAN, KOBAYASHI YUTARO, KINO SHU
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 22.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To improve the accuracy in predicting the amount of wear or the height of a specific part.SOLUTION: There is provided a plasma processing system having a plasma processing apparatus that etches an etching target film formed on a substrate, and a control unit. The control unit controls processing of arranging blankets of the same material as the etching target film at a plurality of positions in a radial direction within a desired range from an outer peripheral part of the substrate, and acquiring information including first correlation information indicating the relationship between a plurality of DC voltages when the DC voltages are applied to a specific part and difference of etching values of the blankets at the plurality of positions, processing of measuring the etching values of the blankets at the plurality of positions, and processing of, based on the information including the first correlation information, predicting the amount of wear of the specific part or the height of the specific part from the difference between the measured etching values of the blankets at the plurality of positions.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】特定パーツの消耗量又は高さの予測精度を向上させる。【解決手段】基板に形成されたエッチング対象膜をエッチングするプラズマ処理装置と、制御部とを有するプラズマ処理システムであって、前記制御部は、前記基板の外周部から所望の範囲内であって径方向の複数の位置に前記エッチング対象膜と同材質のブランケットを配置し、前記特定パーツに異なる複数の直流電圧を印加したときの前記直流電圧と、前記ブランケットの複数の位置のエッチング値の差分と、の関係を示す第１の相関情報を含む情報を取得する処理と、前記ブランケットの複数の位置のエッチング値を測定する処理と、前記第１の相関情報を含む情報に基づき、測定した前記ブランケットの複数の位置のエッチング値の差分から前記特定パーツの消耗量又は前記特定パーツの高さを予測する処理と、を制御する、プラズマ処理システムが提供される。【選択図】図４