HEAT TREATMENT APPARATUS

• Main Authors: OMORI MAO, KONDO YASUAKI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 17.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a heat treatment apparatus capable of reducing an installation space of a gas supply related element.SOLUTION: A combustion support gas line 31, a combustible gas line 41, and an inactive gas line 51 are connected to a chamber 10 performing a heating treatment to a semiconductor wafer. Before a combustible gas is supplied to the chamber 10, nitrogen is sent to the combustion support gas line 31 from the inactive gas line 51 to replace an inside of the combustion support gas line 31 with nitrogen. Before the combustible gas is supplied to the chamber 10, nitrogen is sent from the inactive gas line 51 to the combustible gas line 41 to replace the inside of the combustible gas line 41 with nitrogen. Since the combustion support gas line 31 and the combustible gas line 41 are provided with one inactive gas line 51 in common, an installation space for a gas supply related element can be reduced.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】ガス供給関連要素の設置スペースを小さくすることができる熱処理装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハーに加熱処理を行うチャンバー１０に支燃性ガスライン３１、可燃性ガスライン４１および不活性ガスライン５１が接続されている。チャンバー１０に可燃性ガスを供給する前には不活性ガスライン５１から支燃性ガスライン３１に窒素を送り込んで支燃性ガスライン３１内を窒素に置換する。チャンバー１０に支燃性ガスを供給する前には不活性ガスライン５１から可燃性ガスライン４１に窒素を送り込んで可燃性ガスライン４１内を窒素に置換する。支燃性ガスライン３１および可燃性ガスライン４１に共通の１本の不活性ガスライン５１を設けているため、ガス供給関連要素の設置スペースを小さくすることができる。【選択図】図２