MEMORY SYSTEM

To improve error correction (decryption) capability.SOLUTION: A memory system comprises a non-volatile memory and a memory controller. The non-volatile memory includes first to m-th planes comprising first to n-th word lines, first to n-th memory cell groups, first to I-th dummy word lines, and firs...

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Main Authors SUZUKI RIKI, HIDA TOSHIKATSU, TOKUTOMI TSUKASA, WATANABE KIWAMU, ONAGI TAKAHIRO
Format Patent
LanguageEnglish
Japanese
Published 17.03.2022
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Summary:To improve error correction (decryption) capability.SOLUTION: A memory system comprises a non-volatile memory and a memory controller. The non-volatile memory includes first to m-th planes comprising first to n-th word lines, first to n-th memory cell groups, first to I-th dummy word lines, and first to I-th dummy memory cell groups, respectively. The memory controller writes i-th data into a memory cell group connected to i word line of one of the first to m-th planes so that m planes from a plane into which k-th data is written to a plane into which (k+m-1)-th data is written differ from each other, and writes first to m-th parities into one of the first to I-th dummy memory cell groups. Combinations of first to n-th data used for generating the first to m-th parities differ from each other.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】誤り訂正(復号)能力を向上させる。【解決手段】第1から第nのワード線と、第1から第nのメモリセル群と、第1から第lのダミーワード線と、第1から第lのダミーメモリセル群と、をそれぞれ備える第1から第mのプレーンを含む不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を備える。メモリコントローラは、第kのデータを書き込むプレーンから、第(k+m-1)のデータを書き込むプレーンまでのm個のプレーンは相互に異なるように、第iのデータを、第1から第mのプレーンのいずれかのiのワード線に接続されたメモリセル群へ書き込み、第1から第mのパリティを、第1から第lのダミーメモリセル群のいずれかに書き込む。第1から第mのパリティの生成に使用される第1から第nのデータの組み合わせは相互に異なる。【選択図】図1
Bibliography:Application Number: JP20200149839