SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

• Main Author: NAKAI HITOSHI
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 03.03.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a substrate processing apparatus capable of suppressing processing fluid supplied to a substrate from being rebounded by a substrate support.SOLUTION: A substrate processing apparatus 100 includes a spin base SB, a plurality of substrate supports MC, a nozzle 19, a lifting part 7 and a chamber 1. The spin base SB has a gas supply port 45. The plurality of substrate supports MC is arranged to the spin base SB, and supports a substrate W by contacting the substrate W. The nozzle 19 supplies first processing fluid FL1 to the substrate W supported by the plurality of substrate supports MC. The gas supply port 45 supplies a first gas GA between a rear surface F2 of the substrate W and the spin base SB to generate a negative pressure so that the spin base SB supports the substrate W while the plurality of substrate supports MC does not support the substrate W. When the substrate W is supported by the spin base SB by the supply of the first gas GA, the lifting part 7 retracts the plurality of substrate supports MC below a lower surface of the substrate W.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】基板に供給された処理流体が基板支持部によって跳ね返されることを抑制できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、スピンベースＳＢと複数の基板支持部ＭＣとノズル１９と昇降部７とチャンバー１とを備える。スピンベースＳＢは気体供給口４５を有する。複数の基板支持部ＭＣは、スピンベースＳＢに配置され、基板Ｗと接触することで基板Ｗを支持する。ノズル１９は、複数の基板支持部ＭＣによって支持された基板Ｗに対して第１処理流体ＦＬ１を供給する。気体供給口４５は、基板Ｗの裏面Ｆ２とスピンベースＳＢとの間に第１気体ＧＡを供給することで負圧を発生させて、複数の基板支持部ＭＣが基板Ｗを支持していない状態において基板ＷをスピンベースＳＢに保持させる。第１気体ＧＡの供給によって基板ＷがスピンベースＳＢに保持される場合、昇降部７は、複数の基板支持部ＭＣを基板Ｗの下面よりも下方に退避させる。【選択図】図１