FUSE CELL STRUCTURE

• Main Author: LIAW JHON JHY
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 14.02.2022
• Subjects: ELECTRICITY; INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

To provide a semiconductor structure having a fuse cell structure.SOLUTION: A device 200 including a first transistor 202 (X, Y) and a second transistor 202 (X+1, Y) each having a source terminal, a drain terminal and a gate terminal, further includes: a program line; a first metal plate over the first transistor and the second transistor; a first insulator over the first metal plate; a second metal plate over the first insulator; a second insulator over the second metal plate; and a third metal plate over the second insulator. The first metal plate, the first insulator, and the second metal plate form a first fuse element 204T (X, Y). The second metal plate, the second insulator, and the third metal plate form a second fuse element 204B (X, Y). The source terminal of the first transistor is electrically connected to the first metal plate. The source terminal of the second transistor is electrically connected to the third metal plate. The program line is electrically connected to the second metal plate.SELECTED DRAWING: Figure 1B 【課題】ヒューズセル構造を有する半導体構造を提供する。【解決手段】それぞれソース端子、ドレイン端子及びゲート端子を有する第１のトランジスタ２０２（Ｘ，Ｙ）及び第２のトランジスタ２０２（Ｘ＋１，Ｙ）を含むデバイス２００は、プログラム線と、第１及び第２のトランジスタ上の第１の金属板と、第１の金属板上の第１の絶縁体と、第１の絶縁体上の第２の金属板と、第２の金属板上の第２の絶縁体と、第２の絶縁体上の第３の金属板と、をさらに含む。第１の金属板、第１の絶縁体及び第２の金属板は、第１のヒューズ素子２０４Ｔ（Ｘ，Ｙ）を形成する。第２の金属板、第２の絶縁体及び第３の金属板は、第２のヒューズ素子２０４Ｂ（Ｘ，Ｙ）を形成する。第１のトランジスタのソース端子は、第１の金属板に電気的に接続される。第２のトランジスタのソース端子は、第３の金属板に電気的に接続される。プログラム線は、第２の金属板に電気的に接続される。【選択図】図１Ｂ