DECOUPLING SYSTEM, OPERATION METHOD, AND MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: LIU SZU-LIN, WANG YI-HSIANG, HORNG JAW-JUINN
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 08.02.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a decoupling capacitance (Decap) system using a thin gate oxide film.SOLUTION: A decoupling capacitance (Decap) system 208A includes a Decap circuit 210 electrically connected between a first reference voltage rail 214 or a second reference voltage rail 216 and a first node, and a bias circuit 212 connected between an internal node 218 and the corresponding second or first reference voltage rail. Due to the connection of the Decap circuit and the bias circuit in series, the voltage drop V_bs of the bias circuit effectively reduces the voltage drop V_dcp of the Decap circuit, and the voltage drop of the Decap circuit becomes smaller than the voltage drop VDD of the Decap system.SELECTED DRAWING: Figure 2A 【課題】薄いゲート酸化膜を用いたデカップリングキャパシタンス（Ｄｅｃａｐ）システムを提供する。【解決手段】デカップリングキャパシタンス（Ｄｅｃａｐ）システム２０８Ａは、第１基準電圧レール２１４又は第２の基準電圧レール２１６と第１のノードとの間に電気接続されたＤｅｃａｐ回路２１０と、内部のノード２１８と対応の第２の基準電圧レール又は第１の基準電圧レールとの間に接続されたバイアス回路２１２と、を備える。Ｄｅｃａｐ回路とバイアス回路が直列接続されることにより、バイアス回路の電圧降下Ｖ＿ｂｓがＤｅｃａｐ回路の電圧降下Ｖ＿ｄｃｐを効果的に低減して、Ｄｅｃａｐ回路の電圧降下をＤｅｃａｐシステムの電圧降下ＶＤＤよりも小さくさせる。【選択図】図２Ａ