QUANTUM DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: MIYATA AKIRA, KIKUCHI MASARU, SATO HIDEYUKI, NANBA KENJI, NISHI NORINARI, YAMAGUCHI AYAMI, WATANABE HIDE
• Format: Patent
• Language: English; Japanese
• Published: 17.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

To provide a quantum device and a manufacturing method thereof that can improve the quality (quantum coherence, etc.).SOLUTION: A quantum device 100 includes an interposer 112, a quantum chip 111, a first connection unit 130 that is provided between the interposer 112 and the quantum chip 111 and electrically connects a wiring layer of the interposer 112 and a wiring layer of the quantum chip 111, a predetermined signal line w1 arranged in the wiring layer of the quantum chip 111, first shielded wiring w1 arranged along the predetermined signal line w1 on the wiring layer of the quantum chip 111, second shield wiring w2 arranged in the wiring layer of the interposer 112, and a second connection unit 150 provided between the interposer 112 and the quantum chip 111 and in contact with the first shield wiring w1 and the second shield wiring w2.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】品質（量子コヒーレンスなど）を向上させることが可能な量子デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】量子デバイス１００は、インターポーザ１１２と、量子チップ１１１と、インターポーザ１１２と量子チップ１１１との間に設けられ、インターポーザ１１２の配線層と量子チップ１１１の配線層とを電気的に接続する第１接続部１３０と、量子チップ１１１の配線層に配置された所定の信号線ｗ１と、量子チップ１１１の配線層に、所定の信号線ｗ１に沿って配置された第１シールド配線ｗ１と、インターポーザ１１２の配線層に配置された第２シールド配線ｗ２と、インターポーザ１１２と量子チップ１１１との間に設けられ、第１シールド配線ｗ１及び第２シールド配線ｗ２に接するように設けられた第２接続部１５０と、を備える。【選択図】図１